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Silizium Wafer, Substrate und Trägermaterialien für Proben


    Silizium Wafer, Substrate und Trägermaterialien für Proben
  Si Wafer: Durchmesser 51 mm, 100 mm und 150 mm
   geschitene quadratische Silizium Wafers für Proben
   quadratische Silizium Wafer

Einleitung

Poliertes Silizium ist ein ausgezeichnetes Substrat für die Bildgebung, Experimente, Nanotechnologie und Mikrofabrikationsanwendungen (MEMS).  Es steht in Form von Wafern, quadratischen Wafern oder als kleinere Chips (Stücke) zur Verfügung. Die angebotenen Siliziumwafer und Chips haben alle eine <100> Orientierung. Das heißt, die großen Oberflächen sind paralell mit der kristallographischen (100) Ebene des Siliziumeinkristalles des Wafermaterials. Die seitliche Schnittkante liegt paralell mit der (110) Ebene. Ein Abspalten der Wafer auf eine gewünschte Größe mit einer <100> -Orientierung Wafer ist geradlinig und einfach. Die Silizium-Wafer und Chips sind alle mittels Bor positiv dotiert und damit vom P-Typ. Diese Dotierung ermöglicht eine ausgezeichnete Leitfähigkeit für Anwendungen wie REM, FIB und STM.
Für biologische Anwendungen kann Silizium als Glasersatz verwendet werden, da es einen geeigneten Untergrund um Zellen zum Aufbringen und Vervielfältigen darstellt. Für Abbildungsanwendungen eigenet es sich als ein ideales Probensubstrat für kleine Teilchen, aufgrund des geringen topographischen Hintergrundsignals der hochglanzpolierten Oberfläche.
Zwei Sorten der Siliziumsubstrate werden angeboten:

  • Micro-Tec Standard-Silizium-Wafer und Silizium-Chips für Standardanwendung mittlerer Auflösung in der Bildgebung.
  • Nano-Tec ultraflache Silizium-Wafer und ultraflache Siliziumchips für Anwendungen welche hochauflösende Bildgebung erfordern.

Micro-Tec <P/100> Standard-Silizium-Wafer und quadratische Wafer für REM Substrate

Die Micro-Tec <P/100> Silizium-Wafer-Substrate können als Probensubstrat, für die Mikrofabrikation, als Substrat für die Dünnschicht-Forschung oder als biologisches Substrat verwendet werden. Die flachen Substrate eignen sich hervorragend für REM-Aufnahmen von Partikeln aufgrund des geringen Topograhphiesignals (Bildhintergrund). Für biologische Anwendungen weist Si ähnliche Eigenschaften wie Glas und kann verwendet werden, um Zellen zu aufzubringen oder zu vervielfachen. Das Material kann leicht gespalten oder als ganzer Wafer verwendet werden. Die Micro-Tec Si-Wafer werden in einem Wafer-Trägerfach zum Schutz verpackt versand. Die quadratischen Wafer werden auf Wafer-Haftscheiben und verpackt und zwischen zwei Kunststofffolien zum Schutz geliefert. Die Siliziumchips können leicht von der Klebefolie abgehoben werden.
Die Micro-Tec Standard-Silizium-Wafer-Substrate sind erhältlich als:

Spezifikationen der Micro-Tec <P/100> Standard Silizium Wafer und Chips

Parameter

Ø2”/51 mm Wafer

Ø4”/100mm Wafer

Ø6”/150 mm Wafer

Geschnitten Ø4”/100 mm

Artikelnr.

10-008120

10-008140

10-008160

10-008145

Orientierung

<100>

Art

P-dotiert (Bor) mit einem Flat

elektrischer Widerstand

1-30 Ohm/cm

Beschichtung

Keine, nur Natürliche Oxide

Dicke

275µm (+/- 20µm)

525µm (+/- 20µm)

675µm (+/- 20µm)

525µm (+/- 20µm)

Durchmesser

51mm

100mm

150mm

100mm

Chip Große

k.A.

k.A.

k.A.

5x5mm

Chip quantity

k.A.

k.A.

k.A.

 ~270

TTV

≤ 20µm

Primary Fflat

15.9 +/- 1.65mm

32.5 +/- 2.5mm

57.5 +/- 2.5mm

32.5 +/- 2.5mm

Oberflächenrauheit

<1.5nm, einseitig poliert

 

Nano-Tec ultraflache <P / 100> Silizium-Wafern und ultraflache Silizium-Chips
Die ultraflachen Nano-Tec P <100> Silizium-Wafer haben verbesserte Eigenschaften verglichen zu den Micro-Tec Silizium-Wafern. Sie sind für anspruchsvollere Anwendungen in der Mikrofertigung für Dünnschichtforschung oder als biologische Substrate meist bevorzugt. Die ausgezeichneten ultraflachen Oberflächen eignen sich besonders gut für hochauflösende REM-Aufnahmen von Partikeln aufgrund des geringen Hintergrundsignals. Für biologische Anwendungen weist Si ähnliche Eigenschaften wie Glas und kann verwendet werden, um Zellen zu montieren oder aufwachsen zulassen. Die größeren Wafer mit <100> Orientierung können leicht auf die gewünschte Größe geschnitten werden. Die ultraflachen Nano-Tec Si-Wafer wurden zum Schutz in einem Reinraum in Waferträger verpackt. Die ultraflachen Si-Chips sind Präzisionswürfel, welche mit einer Trennsäge vorgeschnitten sind, dann gereinigt wurden und im Reinraum in einem Gel-Box verpackt wurden. Sie können leicht aus dem Gel Substrat mit flachen Pinzette abgehoben werden. Die Nano-Tec ultraflachen Silizium-Wafer sind erhältlich als :

Spezifikationen der ultraflachen Nano-Tec <P / 100> Silizium-Wafer und Silizium-Chips

Parameter

Ø4”/100 mm Wafer

Ø6”/15 0mm Wafer

5x5 mm Chips

5x5mm Chips mit thermisch gewachsenem SiO2

Artikelnr.

10-008141

10-008161

10-008150

10-008155

Ausrichtung

<100>

Art

P-dotiert (Bor) ) mit einem Flat

elektrischer Widerstand

1-10 Ohm/cm

Klasse

Prime / CZ Virgin

Beschichtung

Keine, nur Natürliche Oxide

Thermisch gewachsenes SiO2

Dicke

525µm (+/- 20µm)

675µm (+/- 20µm)

Durchmesser

100 mm

150 mm

150 mm

150 mm

Beschichtung

k.A.

k.A.

5x5 mm

5x5 mm

Chips Anzahl

k.A.

k.A.

25

25

TTV

≤1.5 µm

Bow

≤30 µm

Warp

≤30 µm

Primary Flat

 32.5 +/- 2.5 mm

57.5 +/- 2.5 mm

Oberflächenrauheit

üblicherweise 0.2 - 0.3 nm, einseitig poliert




Bestellinformationen

*Nettopreise zuzüglich gesetzlicher Umsatzsteuer. Wir verkaufen nicht an Privatpersonen .    

Micro-Tec P{100} Silizium Wafer Ø 2 Micro-Tec P{100} Silizium Wafer Ø 2" / 51 mm, 275 µm dick

Artikel # Einheit Preis* Bestellung / Anfrage
10-008120 Stück €28,50
Menge Rabatt bei 10 oder mehr: €26,50 pro Stück
Anz:


Micro-Tec P{100} Silizium Wafer, Ø4 Zoll/100mm, 525µm dick Micro-Tec P{100} Silizium Wafer, Ø4 Zoll/100mm, 525µm dick

Artikel # Einheit Preis* Bestellung / Anfrage
10-008140 Stück €42,50
Menge Rabatt bei 0 oder mehr: €40,50 pro Stück
Anz:


Micro-Tec P{100} Silizium Wafer, Ø 6 Micro-Tec P{100} Silizium Wafer, Ø 6" / 150 mm, 675 µm dick

Artikel # Einheit Preis* Bestellung / Anfrage
10-008160 Stück €53,50
Menge Rabatt bei 10 oder mehr: €50,85 pro Stück
Anz:


Micro-Tec Raster P{100} Ø 4 Micro-Tec Raster P{100} Ø 4" / 100 mm Silizium Wafer, 5 x 5 mm Chips, 525 µm dick

Artikel # Einheit Preis* Bestellung / Anfrage
10-008145 Stück €79,50
Anz:


Nano-Tec Ultra-Flat P{100} Silizium Wafer, Ø 4 Nano-Tec Ultra-Flat P{100} Silizium Wafer, Ø 4" / 100 mm, 525 µm dick

Artikel # Einheit Preis* Bestellung / Anfrage
10-008141 Stück €68,50
Anz:


Nano-Tec Ultra-Flat P{100} Silizium Wafer, Ø 6 Nano-Tec Ultra-Flat P{100} Silizium Wafer, Ø 6" / 150 mm, 675µm dick

Artikel # Einheit Preis* Bestellung / Anfrage
10-008161 Stück €115,00
Anz:


Nano-Tec Ultra-Flat P{100} Silizium Chips, 5 x 5 mm, 25 in Gel-Pack, 675 µm dick Nano-Tec Ultra-Flat P{100} Silizium Chips, 5 x 5 mm, 25 in Gel-Pack, 675 µm dick

Artikel # Einheit Preis* Bestellung / Anfrage
10-008150 Pack/25 €99,50
Anz:


Nano-Tec Ultra-Flat P{100} Silizium mit 200 nm thermisch aufgewachsenen SiO2 Chips, 5 x 5 mm, 25 in Gel-Pack, 675µm dick Nano-Tec Ultra-Flat P{100} Silizium mit 200 nm thermisch aufgewachsenen SiO2 Chips, 5 x 5 mm, 25 in Gel-Pack, 675µm dick

Artikel # Einheit Preis* Bestellung / Anfrage
10-008155 Pack/25 €139,50
Anz:



 



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